晶圆检测系统 Model 7940

晶圆检测系统
产品特色
  • 可同时检测正反两面晶圆
  • 最大可检测6吋扩膜晶圆 (检测区域达8吋范围)
  • 可因应不同产业的晶粒更换或新增检测项目
  • 上片后晶圆自动对位机制
  • 自动寻边功能可适用于不同形状之晶圆
  • 瑕疵规格编辑器可让使用者自行编辑检测规格
  • 瑕疵检出率高达98%
  • 可结合上游测试机晶粒资料,合并后上传至下一道制程设备
  • 提供检测报表编辑器,使用者可自行选择适用资料并进行分析

Chroma 7940晶圆检测系统为自动化切割后晶粒检测设备,使用先进的打光技术,可以清楚的辨识晶粒的外观瑕疵。结合不同的光源角度、亮度及取像模式,使得7940可以适用于LED、雷射二极体及光敏二极体等产业。

由于使用高速相机以及自行开发之检测演算法,7940可以在3分钟内检测完6吋LED晶圆,换算为单颗处理时间为15msec。7940同时也提供了自动对焦与翘曲补偿功能,以克服晶圆薄膜的翘曲与载盘的水平问题。7940可配置2种不同倍率,使用者可依晶粒或瑕疵尺寸选择检测倍率。系统搭配的最小解析度为0.5um,一般来说,可以检测1.5um左右的瑕疵尺寸。

系统功能

在扩膜之后,晶粒或晶圆可能会产生不规则的排列,7940也提供了搜寻及排列功能以转正晶圆。此外,7940拥有人性化的使用介面可降低学习曲线,所有的必要资讯,如晶圆分布,瑕疵区域,检测参数及结果,均可清楚地透过使用者介面(UI)呈现。

瑕疵资料分析

所有的检测结果均会被记录下来,而不仅只是良品/不良品的结果。这有助于找出一组最佳参数,达到漏判与误判的平衡点。提供瑕疵原始资料亦有助于分析瑕疵产生之趋势,并回馈给制程人员进行改善。

 应用范围

使用在垂直结构LED制程&垂直腔面发射激光器VCSEL制程

发光二极体正面检查项目
  • 电极缺陷 Pad Defect
  • 电极残留 Pad Residue
  • 发光区剥落 ITO Peeling
  • 断线 Finger Broken
  • 切割道异常 Mesa Abnormality
  • 磊晶缺陷 Epi Defect
  • 崩缺 Chipping
  • 晶粒残留 Chip Residue


▲ 正面同轴光影像


▲ 正面环形光影像

发光二极体背面检查项目
  • 切割不良 Dicing Abnormality
  • 电极凸点 Pad Bump
  • 晶边崩缺 Chipping
  • 失金 Metal Lack


▲ 背面同轴光影像


▲ 背面环形光影像

VCSEL正面检查项目
  • 焊垫缺陷 Pad Defect
  • 焊垫刮伤 Pad Scratch
  • 发光区缺陷 Emitting Area Defect
  • 剥落 Peeling
  • 边线异常 Mesa Abnormality
  • 磊晶缺陷 Epi Defect
  • 崩边 Chipping
  • 晶粒残留 Chip Residue


▲ 正面同轴光影像


▲ 正面环形光影像

VCSEL背面检查项目
  • 切割异常 Dicing Abnormality
  • 焊垫突起 Pad Bump
  • 崩边 Chipping
  • 剥落 Metal Lack


▲ 背面环形光影像

 


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